Статические характеристики биполярного транзистора…

3.5. Статические характеристики биполярного транзистора

Как уже отмечалось в п. 3.1, транзистор в электрических схемах используется в качестве четырехполюсника, характеризующегося четырьмя величинами: входным и выходным напряжениями и входным и выходным токами ( u_ВХ, u_ВЫХ, i_ВХ, i_ВЫХ). Функциональные зависимости между этими величинами называются статическими характеристиками транзистора, Чтобы установить функциональные связи между указанными величинами, необходимо две из них взять в качестве независимых переменных, а две оставшиеся выразить в виде функций этих независимых переменных. Как правило, применительно к биполярному транзистору в качестве независимых переменных выбирают входной ток и выходное напряжение. В этом случае входное напряжение и выходной ток выражаются следующим образом:

На практике удобнее использовать функции одной переменой. Для перехода к таким функциям необходимо вторую переменную, называемую в этом случае параметром характеристики, поддерживать постоянной. В результате получаются четыре типа характеристик транзистора:

; (3.31)

характеристика обратной передачи ( связи) по напряжению:

; (3.32)

характеристика (прямой) передачи тока, называемая также управляющей или передаточной характеристикой:

; (3.33)

. (3.34)

Статические характеристики транзистора могут задаваться соответствующими аналитическим выражениями, а могут быть представлены графически. Несколько характеристик одного типа, полученные при различных значениях параметра, образуют семейство характеристик. Семейства входных и выходных характеристик транзистора считаются основными и приводятся в справочниках, с их помощью легко могут быть получены два других семейства характеристик. В различных схемах включения транзистора в качестве входных и выходных токов и напряжений выступают токи, протекающие в цепях различных электродов, и напряжения, приложенные между различными электродами. Поэтому конкретный вид статических характеристик зависит от схемы включения транзистора. Рассмотрим статические характеристики транзистора в наиболее распространенных схемах ОБ и ОЭ.

Статические характеристики в схеме об

В схеме с ОБ (см. рис. 3.3,а) входным током является ток эмиттера i_Э, а выходным — ток коллектора i_К, соответственно, входным напряжением является напряжение u_ЭБ, а выходным — напряжение u_КБ.

Входная характеристика в схеме ОБпредставляет собой зависимость

.

Однако, реально в справочниках приводится обратная зависимость

.

Семейство входных характеристик кремниевого n-p-n-транзистора приведено на рис. 3.20. Выражение для идеализированной входной характеристики транзистора в активном режиме имеет вид:

С ледует отметить, что в выражении (3.35) отсутствует зависимость токаi_Э от напряжения на коллекторном переходе u_КБ. Реально такая зависимость существует и связана она с эффектом Эрли. Как показано в п. 3.3, при увеличении обратного напряжения u_КБ. сужается база транзистора , в результате чего несколько увеличивается ток эмиттера i_Э. Увеличение тока i_Э с ростом u_КБ. отражается небольшим смещением входной характеристики в сторону меньших напряжений  u_ЭБ.  — см. рис. 3.20. Режиму отсечки формально соответствует обратное напряжение u_ЭБ.>0 , хотя реально эмиттерный переход остается закрытым ( i_Э  0) и при прямых напряжениях  u_ЭБ меньших порогового напряжения.

Выходная характеристика транзистора в схеме ОБ представляет собой зависимость

.

Семейство выходных характеристик n-p-n-транзистора приведена на рис. 3.21. Выражение дляидеализированной выходной характеристики в активном режиме имеет вид: i_К = · i_Э+ I_КБ0. (3.36)

В соответствие с этим выражением ток коллектора определяется только током эмиттера и не зависит от напряженияu_КЭ. Реально (см. рис. 3.21) имеет место очень небольшой рост i_К при увеличении обратного напряжения u_КБ, связанный с эффектом Эрли. В активном режиме характеристики практически эквидистантны (расположены на одинаковом расстоянии друг от друга), лишь при очень больших токах эмиттера из-за уменьшения коэффициента передачи тока эмиттера  эта эквидистантность нарушается, и характеристики несколько приближаются друг к другу. При i_Э= 0 в цепи коллектора протекает тепловой ток ( i_К= I_КБ0). В режиме насыщения на коллекторный переход подается прямое напряжение u_КБ, большее порогового значения, открывающее коллекторный переход. В структуре транзистора появляется инверсный сквозной поток электронов, движущийся из коллектора в эмиттер навстречу нормальному сквозному потоку, движущемуся из эмиттера в коллектор. Инверсный поток очень резко увеличивается с ростом  u_КБ. , в результате чего коллекторный ток уменьшается и очень быстро спадает до нуля — см. рис. 3.21.

Статические характеристики биполярного транзистора…

3.2 Статические характеристики биполярных транзисторов

Обычно анализируют входные и выходные характеристики БТ в схемах с общей базой и общим эмиттером. Для определен­ности и преемственности изложения будем рассматривать p — n — p -транзистор.

3.2.1 Схема с общей базой

Семейство входных характеристик схемы с ОБ представляет собой зависимость I _Э = f ( U _ЭБ) при фиксированных значениях пара­метра U _КБ — напряжения на коллекторном переходе (рисунок 3.5,а).

Рисунок 3.5 Входные (а) и выходные (б) характеристики БТ в схеме включения с ОБ

При U _КБ = 0 характеристика подобна ВАХ p — n -перехода. С рос­том обратного напряжения U _КБ ( U _КБ < 0 для p - n - p -транзистора) вследствие уменьшения ширины базовой области (эффект Эрли) происходит смещение характеристики вверх: I _Э растет при вы­бранном значении U _ЭБ. Если поддерживается постоянным ток эмиттера ( I _Э = const ), т.е. градиент концентрации дырок в базовой области остается прежним, то необходимо понизить напряжение U _ЭБ, (характеристика сдвигается влево). Следует заметить, что при U _КБ < 0 и U _ЭБ = 0 существует неболь­шой ток эмиттера I _Э0, который становится равным нулю только при некотором обратном напряжении U _ЭБ0.

Семейство выходных характеристик схемы с ОБ представ­ляет собой зависимости I _К = f (U_КБ) при заданных значениях парамет­ра I _Э (рисунок 3.5,б).

Выходная характеристика p — n — p -транзистора при I _Э = 0 и обрат­ном напряжении |U_КБ < 0| подобна обратной ветви p - n -перехода (диода). При этом в соответствии с (3.11) I _К = I _КБО, т. е. характеристика представляет собой обратный ток коллекторного перехода, протека­ющий в цепи коллектор — база.

При I _Э > 0 основная часть инжектированных в базу носителей (дырок в p — n — p транзисторе) доходит до границы коллекторного перехода и создает коллекторный ток при U_КБ = 0 в результате ус­коряющего действия контактной разности потенциалов. Ток мож­но уменьшить до нуля путем подачи на коллекторный переход прямого напряжения определенной величины. Этот случай соот­ветствует режиму насыщения, когда существуют встречные пото­ки инжектированных дырок из эмиттера в базу и из коллектора в базу. Результирующий ток станет равен нулю, когда оба тока оди­наковы по величине (например, точка А’ на рисунок 3.5,б). Чем больше заданный ток I _Э, тем большее прямое напряжение U_КБ требу­ется для получения I _К = 0.

Область в первом квадранте на рис. 3.5,б, где U_КБ < 0 (об­ратное) и параметр I _Э > 0 (что означает прямое напряжение U _ЭБ) соответствует нормальному активному режиму (НАР). Значение коллекторного тока в НАР определяется формулой (3.11) I _К = a I _Э + I_КБО. Выходные характеристики смещаются вверх при увеличе­нии параметра I _Э. В идеализированном транзисторе не учитыва­ется эффект Эрли, поэтому интегральный коэффициент переда­чи тока a можно считать постоянным, не зависящим от значения |U_КБ|. Следовательно, в идеализированном БТ выходные характе­ристики оказываются горизонтальными ( I _К = const ). Реально же эффект Эрли при росте |U_КБ| приводит к уменьшению потерь на рекомбинацию и росту a . Так как значение a близко к единице, то относительное увеличение а очень мало и может быть обнару­жено только измерениями. Поэтому отклонение выходных харак­теристик от горизонтальных линий вверх “на глаз” не заметно (на рисунке 3.5,б не соблюден масштаб).

3.2.2 Схема с общим эмиттером

Семейство входных характеристик схемы с ОЭ представля­ет собой зависимости I _Б = f ( U _БЭ), причем параметром является на­пряжение U _КЭ (рисунок 3.6,а). Для p — n — p транзистора отрицательное напряжение U _БЭ ( U _БЭ < 0) означает

Рисунок 3.6 Рисунок 3.5 Входные (а) и выходные (б) характеристики БТ в схеме включения с ОЭ

прямое включение эмиттерного перехода, так как U _ЭБ = — U _БЭ > 0. Если при этом U _КЭ = 0 (потенциалы коллектора и эмиттера одинаковы), то и коллекторный переход бу­дет включен в прямом направлении: U _КБ = U _КЭ + U _ЭБ = U _ЭБ > 0. Поэто­му входная характеристика при U _КЭ = 0 будет соответствовать ре­жиму насыщения (РН), а ток базы равным сумме базовых токов из-за одновременной инжекции дырок из эмиттера и коллектора. Этот ток, естественно, увеличивается с ростом прямого напряже­ния U _ЭБ, так как оно приводит к усилению инжекции в обоих перехо­дах ( U _КБ = U _ЭБ) и соответствующему возрастанию потерь на реком­бинацию, определяющих базовый ток.

Вторая характеристика на рисунке 3.6,а ( U _КЭ á 0) относится к нормальному активному режиму, для получения которого напряжение U _КЭ долж­но быть в p — n — p транзисторе отрицательным и по модулю превы­шать напряжение U _ЭБ. В этом случае ( U _КБ = U _КЭ + U _ЭБ = U _КЭ — U _БЭ < 0. Формально ход входной характеристики в НАР можно объяснить с помощью выражения (3.14) или (3.17): I _Б =(1 — a )I_Э — I _КБО. При малом напряжении U_БЭ инжекция носителей практически от­сутствует (I_Э = 0) и ток I_Б = — I _КБО, т.е. отрицателен. Увеличение пря­мого напряжения на эмиттерном переходе U_ЭБ = -U_БЭ вызывает рост I_Э и величины (1 — a ) I_Э. Когда (1 — a ) I_Э = I _КБО, ток I_Б = 0. При дальнейшем роете U_БЭ (1 — a ) I_Э > I _КБО и I_Б меняет направление и становится положительным (I_Б > 0) и сильно зависящим от напря­жения перехода.

Влияние U _КЭ на I_Б в НАР можно объяснить тем, что рост |U_КЭ| означает рост |U_КБ| и, следовательно, уменьшение ширины базо­вой области (эффект Эрли). Последнее будет сопровождаться снижением потерь на рекомбинацию, т.е. уменьшением тока базы (смещение характеристики незначительно вниз).

Семейство выходных характеристик схемы с ОЭ предста­вляет собой зависимости I _К = f ( U _КЭ) при заданном параметре I _Б (рисунок 3.6,б).

Крутые начальные участки характеристик относятся к режиму насыщения, а участки с малым наклоном — к нормальному актив­ному режиму. Переход от первого режима ко второму, как уже от­мечалось, происходит при значениях | U _КЭ|, превышающих | U _БЭ|. На характеристиках в качестве параметра берется не напряжение U _БЭ, а входной ток I _Б. Поэтому о включении эмиттерного перехода приходится судить по значению тока I _Б, который связан с входной характеристикой на рисунке 3.6,а. Для увеличения I _Б необходимо увеличивать | U _БЭ|, следовательно, и граница между режимом на­сыщения и нормальным активным режимом должна сдвигаться в сторону больших значений.

Если параметр I _Б = 0 (“обрыв” базы), то в соответствии с (3.22) I _К = I _КЭО = ( b + 1 ) I _КБО. В схеме с ОЭ можно получить (как и в схеме с ОБ) I = I _КБО, если задать отрицательный ток I _Б = — I _КБО. Выходная ха­рактеристика с параметром I _Б = — I _КБО может быть принята за грани­цу между НАР и режимом отсечки (РО). Однако часто за эту грани­цу условно принимают характеристику с параметром I _Б = 0.

Наклон выходных характеристик в нормальном активном режи­ме в схеме с общим эмиттером во много раз больше, чем в схеме с общей базой ( h _22Э » b h _22Б) Объясняется это различным проявлени­ем эффекта Эрли. В схеме с общим эмиттером увеличение U_КЭ, а следовательно и U _КБ сопровождается уменьшением тока ба­зы, а он по определению выходной характеристики должен быть неизменным. Для восстановления тока базы приходится регули­ровкой напряжения U_БЭ увеличивать ток эмиттера, а это вызывает прирост тока коллектора D I_К, т.е. увеличение выходной проводимо­сти (в схеме с ОБ ток I _Э при снятии выходной характеристики поддерживается неизменным).

3.2.3 Влияние температуры на статические характеристики БТ

Влияние температуры на положение входной характеристики схемы с ОБ при поддержании неизменным ее параметра анало­гично ее влиянию на ВАХ полупроводникового диода. В нормаль­ном активном режиме ток эмиттерного перехода можно предста­вить формулой

С ростом температуры тепловой ток I _ЭО растет быстрее, чем убывает экспонента из-за увеличения j _Т = kT / q . В резуль­тате противоположного влияния двух факторов входные характери­стики схемы с ОБ смещаются влево при выбранном токе I _Э на вели­чину D U » (1. 2) мВ/°С (рисунок 3.7,а).

Начало входной характеристики в схеме с ОЭ определяется теп­ловым током коллекторного перехода I_КБО который сильно зависит от температуры, так что начало характеристики при увеличении тем­пературы опускается (рисунок 3.7, б).

Рисунок 3.7 Зависимость входных характеристик от температуры для схем ОБ (а) и ОЭ (б).

Влияние температуры на выходные характеристики схем с ОБ и ОЭ в НАР удобно анализировать по формулам (3.11) и (3.22):

Снятие выходных характеристик при различных температурах должно проводиться при поддержании постоянства параметров ( I _Э = const в схеме с ОБ и I _Б = const в схеме с ОЭ). Поэтому в схеме с ОБ при I _Э = const рост I_К будет определяться только увеличением I_КБО (рисунок 3.8, а).

Рисунок 3.8 Зависимость выходных характеристик БТ от температуры для схем включения с ОБ (а) и ОЭ (б).

Однако обычно I_КБО значительно меньше a I _Э, изменение I_К составляет доли процента и его можно не учитывать.

В схеме с ОЭ положение иное. Здесь парамет­ром является I _Б и его надо поддерживать неизменным при измене­нии температуры. Будем считать в первом приближении, что коэф­фициент передачи b не зависит от температуры. Постоянство b I _Б оз­начает, что температурная зависимость I_К будет определяться сла­гаемым ( b + 1)I_КБО. Ток I_КБО (как тепловой ток перехода) примерно удваивается при увеличении температуры на 10°С, и при b >> 1 при­рост тока ( b + 1)I_КБО может оказаться сравнимым с исходным значе­нием коллекторного тока и даже превысить его.

На рисунке 3.8,б показано большое смещение выходных характе­ристик вверх. Сильное влияние температуры на выходные характе­ристики в схеме с ОЭ может привести к потере работоспособности конкретных устройств, если не принять схемотехнические меры для стабилизации тока или термостатирование.

Экспериментально изучить входные и выходные статические характеристики биполярного транзистора

Цель работы: Экспериментально изучить входные и выходные статические характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой, определить его параметры.

1. КРАТКИЕ ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ

1.1. ПРИНЦИП ДЕЙСТВИЯ ТРАНЗИСТОРА

Транзисторами (от английских слов transfer of resistor – преобразователь сопротивления) называют электропреобразовательные полупроводниковые приборы с одним или несколькими взаимодействующими электронно-дырочными переходами, способные усиливать мощность сигнала и имеющие три и более внешних вывода.

Основным элементом двухпереходного биполярного транзистора является монокристалл полупроводника типа n или р, в котором с помощью примесей созданы три области с электронной и дырочной электропроводимостью, разделенные двумя р-n-переходами (рис. 1). Если средняя область имеет электронную проводимость типа n, а две крайние – дырочную типа р, то такой транзистор имеет структуру р-n-р в отличие от транзисторов n-р-n, имеющих среднюю область с дырочной, а крайние области с электронной проводимостями.

Рис.1. Схема включения p-n-p транзистора с общей базой (а); условные обозначения p-n-p и n-p-n транзисторов (б).

Средняя область кристалла полупроводника (в данном случае n-проводимости) называется базой. Одна крайняя область (для нашего случая с р-проводимостью), инжектирующая (эмиттирующая) неосновные носители заряда, называется эмиттером, а другая, осуществляющая экстракцию (выведение) носителей заряда из базы, – коллектором. База отделена от эмиттера и коллектора соответственно эмиттерным и коллекторным р-п-переходами. От базы, эмиттера и коллектора сделаны металлические выводы (Б, Э, К).

В рабочем режиме к электродам транзисторов подключают постоянные напряжения от внешних источников энергии. Помимо постоянных напряжений, к электродам подводят сигналы, подлежащие преобразованию. В связи с этим различают входную цепь, в которую подводят сигнал, и выходную, в которой с нагрузки снимают сигнал. В зависимости от того, какой из электродов при включении транзистора является общим для входной и выходной цепей, различают схемы с общей базой ОБ, общим эмиттером ОЭ и общим коллектором ОК. Наиболее широко используются схемы включения с ОБ и ОЭ.

На рисунке 1а показана одномерная модель транзистора, который включен по схеме с общей базой. Входной сигнал в этом случае подается между эмиттером и базой, а выходной снимается с коллекторной цепи. Аналогично транзистор может быть включен по схемам с общим эмиттером (вход база – эмиттер, выход коллектор – эмиттер), с общим коллектором. Потенциал общего электрода схемы принимают равным нулю, а напряжение на других отсчитывают относительно потенциала общего электрода. Обозначение напряжений в цепях транзистора снабжают буквенными индексами, указывающими на электроды, между которыми оно включено, причем второй индекс относится к общему электроду схемы.

В зависимости от полярности напряжений, приложенных к эмиттерному и коллекторному переходам, различают активный, отсечки, насыщения и инверсный режимы включения транзистора.

Активный режим используется при усилении слабых сигналов. В этом режиме на эмиттерный переход подается прямое, а на коллекторный – обратное напряжение. В активном режиме эмиттер инжектирует в область базы неосновные для нее носители, а коллектор производит экстракцию (выведение) неосновных носителей из базовой области.

В режиме отсечки к обоим переходам подводятся обратные напряжения, при которых ток через транзистор ничтожно мал. В режиме насыщения оба перехода транзистора находятся под прямым напряжением; в обоих переходах происходит инжекция носителей; транзистор превращается в двойной диод; ток в выходной цепи максимален при выбранном значении нагрузки и не управляется то­ком входной цепи; транзистор полностью открыт. Транзистор в режимах отсечки и насыщения обычно используется в схемах электронных переключателей.

В инверсном режиме меняют функции эмиттера и коллектора, подключив к коллекторному переходу прямое, а к эмиттерному – обратное напряжение. Однако из-за несимметрии структуры и различия концентрации носителей в областях коллектора и эмиттера инверсное включение транзистора неравноценно его нормальному включению в активном режиме.

Рассмотрим принцип действия p-n-p транзистора, включенного по схеме с ОБ. Так как эмиттерный переход смещен в прямом направлении, то через эмиттерный переход протекает значительный ток основных носителей. Так как обычно уровень легирования базы значительно ниже уровня легирования эмиттера, то в данном случае ток эмиттера будет преимущественно дырочным. В базе инжектированные дырки из области эмиттерного перехода, где их концентрация высока, диффундируют к коллекторному переходу. В процессе диффузии часть инжектированных из эмиттера дырок рекомбинирует с электронами, однако, так как ширина базы W много меньше диффузионной длины дырок (базу специально делают узкой), то большая часть дырок доходит до коллекторного перехода. Все дырки, дошедшие до обратно смещенного коллекторного p-n перехода, захватываются электрическим полем этого перехода и перебрасываются в область коллектора. Возникает коллекторный ток. Ток коллектора несколько меньше тока эмиттера за счет рекомбинационных процессов в базе транзистора, поэтому коэффициент передачи тока эмиттера α = ik/iэ немного меньше единицы, т.е. схема с общей базой не усиливает токовый сигнал.

Если в цепь эмиттера подавать входные переменные сигналы, а в цепь коллектора включить нагрузку, то транзистор будет работать в качестве усилителя. В схеме транзистора с общей базой можно получить значительное усиление по напряжению, так как дифференциальное выходное сопротивление обратно смещенного коллекторного перехода велико, в цепь коллектора может быть включено большое сопротивление Rнаг , на этом нагрузочном резисторе падение напряжения будет во много раз больше входного переменного сигнала (ΔUнаг. = ΔIк Rнаг. ≈ ΔIэ Rнаг).

Транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером, может дать большое усиление не только по напряжению, но и по току. Так как ток базы iб=iэ-iк=iэ(1-α), то коэффициент передачи тока базы β = iк/ iб=α/(1-α) будет значительно больше единицы, так как α ≈1.

Для нахождения аналитических выражений, описывающих связь внешних характеристик и параметров транзистора с электрофизическими параметрами областей и его геометрией, решаются уравнения непрерывности для неосновных носителей тока во всех трех областях транзистора. Классическая теория транзистора основана на том, что модель транзистора одномерная, уровень инжекции мал, что позволяет пользоваться диффузионным приближением для неосновных носителей тока; процессами генерации и рекомбинации носителей в области объемного заряда переходов пренебрегают, а концентрацией легирующих примесей во всех областях не изменяются с координатой.

и коллектора различаются. В этом случае эквивалентная схема для большого сигнала имеет вид, показанный на рис.2.

Рис.2. Эквивалентная схема транзистора для большого сигнала.

1.2. Статические ХАРАКТЕРИСТИКИ

ТРАНЗИСТОРА С ОБЩЕЙ БАЗОЙ

Входными статическими характеристиками транзистора, включенного по схеме с общей базой, является зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении, т.е. семейство зависимостей Iэ = f(Uэб) при Uкб = const.

Выходными статическими характеристиками транзистора, включенного по схеме с общей базой, является зависимость выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе, т.е. семейство зависимостей Iк = f(Uкб) при Iэ = const.

На рис.3 приведено семейство выходных характеристик: Uкб 2 > Uкб 1, Iэ3 > Iэ2 > Iэ1.

Рис.3. Семейство входных (а) и выходных (б) ВАХ транзистора с общей базой.

При больших обратных напряжениях на коллекторе ток коллектора начинает резко возрастать из-за лавинного пробоя коллекторного p-n перехода.

Характеристики прямой передачи тока Iк=f(Iэ) при Uкб=const. Ее можно построить по выходным характеристикам. Для этой цели на семействе выходных характеристик проводят ряд вертикальных линий с заданным интервалом значений Uкб . Затем отмечают точки пересечения со статическими характеристиками и определяют значения токов тока Iк и Iэ при выбранном значении Uкб. По полученным значениям Iк и Iэ строят зависимость Iк = f(Iэ) при Uкб = const (рис.4а). Эти характеристики также можно снять экспериментально.

Характеристики обратной связи по напряжению Uэб = f(Uкб) при Iэ = const можно построить по семейству входных характеристик. Для этой цели на входных характеристиках проводят ряд горизонтальных линий с заданным интервалом токов Iэ, Затем находят координаты точек пересечения (Uэб и Uкб) и по ним строят характеристики Uэб = f(Uкб) при Iэ = const (рис.4б). Эти характеристики также можно снять экспериментально.

Рис.4. Статические характеристики прямой передачи тока и обратной связи с общей базой.

1.3. Основные параметры биполярных транзисторов

1. Коэффициенты передачи эмиттерного и базового тока.
2. Дифференциальное сопротивление эмиттерного p-n перехода rэ. диф (Ом – десятки Ом).
3. Обратный ток коллекторного перехода при заданном обратном напряжении Iк (несколько нА – десятки мА).
4. Объемное сопротивление базы rб (десятки – сотни Ом).
5. Выходная проводимость или дифференциальное сопротивление коллекторного перехода rк.диф.=1/h22э=∂Uкб/∂Iк|Iб=соnst, h22э (доли – сотни мкОм).
6. Максимально допустимый ток коллектора Iк.max (сотни мА – десятки А).
7. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uкэ нас. (десятые доли – один вольт).
8. Наибольшая мощность рассеяния коллектором РКmax (мВт – десятки Вт).
9. Емкость коллекторного перехода Ск (пФ – десятки пФ).
10. Предельная частота коэффициента передачи тока, на которой коэффициент передачи тока уменьшается до 0,7 своего статического значения fпр. (кГц – сотни МГц).

Обозначение биполярных транзисторов состоит из шести или семи элементов. Первый элемент – буква, указывающая исходный материал: Г-германий, К-кремний, А-арсенид галлия. Для транзисторов специального назначения первый элемент цифра:1 – германий, 2 – кремний, 3 – арсенид галлия. Второй элемент – буква Т. Третий элемент – число, присваиваемое в зависимости от назначения транзистора. Четвертый, пятый и шестой элементы – цифры, означающие порядковый номер разработки. Шестой (седьмой) элемент – буква, указывающая разновидность типа из данной группы приборов, например: ГТ108А, 2Т144А, КТ3102А и т.д.

В данной работе используется транзистор германиевый р-п-р универсальный низкочастотный маломощный типа МП-26. Его параметры:

Постоянное напряжение коллектор-база 70 В.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер 70 В.

Среднее значение тока коллектора 80 мА.

Среднее значение тока эмиттера 80 мА.

Коэффициент передачи тока 30-80.

Обратный ток коллектора 75 мкА.

2. ОПИСАНИЕ ЛАБОРАТОРНОГО МАКЕТА

Лабораторный макет выполнен в унифицированном корпусе. Принципиальная электрическая схема, используемая в макете, приведена на рисунке 5 и на передней панели макета.