Кт 815 транзистор параметры цоколевка
Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.
Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький «Кикстартер»
Амбициозная цель компании MediaTek — сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик — порог входа очень низкий.
Семинар и тренинг «ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!» (14-15.10.2013, Новосибирск)
Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений. который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.
Популярные материалы
Комментарии
люди куплю транзистар кт 827А 0688759652
как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время
Светодиод — это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не «ИК светодиод» и «Светодиод инфракрасный», как указано на сайте.
Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок
| Uкбо | — Максимально допустимое напряжение коллектор-база |
| Uкбои | — Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база |
| Uкэо | — Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер |
| Uкэои | — Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер |
| Iкmax | — Максимально допустимый постоянный ток коллектора |
| Iкmax и | — Максимально допустимый импульсный ток коллектора |
| Pкmax | — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода |
| Pкmax т | — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом |
| h21э | — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером |
| Iкбо | — Обратный ток коллектора |
| fгр | — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером |
| Uкэн | — напряжение насыщения коллектор-эмиттер |
Хорошие транзюки.В блоки питания сую их,пробовал грузить их до 2ампер,держат но не все.Некоторые сгорают.Но на 1.8ампера при радиаторе 350кв.см простоял под нагрузкой 4.5часа,температура 78с°…не сгорел,все о.к.Так что транзюки эти хорошие.
Транзистор КТ815 (А)
Исходя из технических характеристик серия биполярных транзисторов КТ815, они изготавливается по эпитаксиально-планарной технологии. В её состав входит несколько групп устройств, в основном отличающихся между собой предельно возможным пропускаемым напряжением между контактами коллектора и эмиттера.
Это кремниевые, низкочастотные устройства большой мощности имеющие n-p-n-структуру. Их можно с уверенностью назвать одними из самых распространенных транзисторов в электротехнике советских времен до 1990 года. Они широко использовались в линейных и ключевых схемах, применялись в устаревших отечественных усилителях (например «Одиссей У-10», «Вега 10У-120»), различных преобразователях и импульсных приборах.
Распиновка
Цоколевка для всей серии КТ815 одинаковая. Транзистор широко распространен в пластиковом корпусе для дырочного монтажа — КТ-27 (зарубежный аналог ТО-126). Если смотреть на его цифро-буквенное обозначение, то первая ножка слева — этоэмиттер (Э), вторая – коллектор (К), третья –база (Б). Для крепления к теплоотводу имеется отверстие (3 мм). Масса таких изделий не превышает 1 грамма.
Данный транзистор также встречается для поверхностного монтажа КТ-89 (он же импортный DPAK). В данном решении он имеет следующую распиновку – Б.К.Э. (коллектор сверху). Сейчас это редкость, выпускается исключительно в Белоруссии на предприятиях ОАО «ИНТЕГРАЛ».
Вывод коллектора у данных электронных компонентов, в обоих типах корпусов (КТ-27 и КТ-89), имеет сзади небольшое металлическое основание для соединения с радиатором. Его можно увидеть, если посмотреть на изделие с обратной стороны.
Технические характеристики
Технические характеристики транзистора КТ815 зависят от группы, которая обозначается символом в конце маркировки. Рассмотрим первый, самый слабый по своим параметрам, относительно других устройств — КТ815А. Он имеет следующие максимально допустимые режимы эксплуатации:
- предельно допустимое постоянное напряжение между: К-Э до 40 В (RЭБ ≤ 100 Ом); Э-Б до 5 В;
- коллекторный ток: постоянный до 1.5 А; импульсный до 3 А;
- ток базы до 0.5 А;
- мощность рассеиваемая на коллекторе: до 10 Вт (c теплотводом); до 1 Вт (без отвода тепла);
- температура p-n-перехода до +150 °C;
- диапазон рабочих температур вокруг корпуса -60 … +125 °C.
В техническом описании производители не указывают граничную частоту коэффициента передачи тока (fT). В некоторых справочниках для серии КТ815, считающейся низкочастотной, она указана на уровне до 3 МГц.
Другие устройства в серии, отличаются большими напряжениями между выводами К-Э (до 100 В для группы «Г») и немного другими режимами измерений. Подробнее об этом рассмотрено в статьях про КТ815Б, КТ815Г.
Электрические
Основные электрические параметры КТ815А, при температуре окружающей среды до +25 °C (±10 °C), представлены ниже. В отдельном столбце приведены режимы измерения (тестирования в процессе производства).
Обратите внимание на большой диапазон возможных знамений статического коэффициента передачи ток (H21Э от 40 до 275). С таким разбросом достаточно тяжело подобрать комплементарную пару, поэтому многие радиолюбители давно отказались от использования этого транзистора в своих схемах.
Комплементарники
Для каждой из групп КТ815 разработана своя комплиментарная пара, относящаяся к серии отечественных транзисторов — КТ814. По своим свойствам и характеристикам, кроме структуры с p-n-p-проводимостью, она очень похожа на рассмотренный. В паре эти два транзистора часто встречаются в схемах предкаскадов усиления мощности, а также стабилизаторах напряжения для питания небольшой нагрузки.
Аналоги
Качественный аналог для КТ815 подобрать трудно, особенно если он работает по схеме вместе с другим транзистором. В связи с большим разбросом параметров по H21Э и вероятностью брака даже в новых белорусских образцах, его чаще всего меняют на зарубежный BD139. Именно он указан в даташите как импортный прототип. Также в качестве возможной альтернативы можно рассмотреть такие устройства: BD13910STU, BD135, BD137, BD165-BD169(ТО-126), TIP29C(ТО-220), КТ-817.
Маркировка
В последнее время полное наименование КТ815, в корпусе КТ-27, наносится прямо на лицевую часть его пластиковой упаковки. До 2001 г. эта серия выпускалась также с буквенно-цифровой и цветовой маркировкой (серый или сиренево-фиолетового окрас на торце). Кодом «5», в самом её начале, обозначали серию данного транзистора. Далее указывались: группа, год и месяц производства. У устройств для поверхностного монтажа (для КТ89), как отмечалось ранее, в конце наименования присутствует «9» .
Содержание драгметаллов КТ815
Транзисторы содержат в себе виде позолоты на коллекторной части до 0,0043324 грамм золота. Скупщики радиолома стараются приобрести их в любом виде для последующей переработки. Процесс этот достаточно сложный. Однако, в случае успешного проведения аффинажа, некоторые умельцы получают с 1000 штук подобных изделий до 4 грамм этого драгоценного металла.
Меры безопасности
Меры предосторожности при монтаже подобных устройств стандартные и обычно не вызывают вопросов у начинающих радиолюбителей. В техописании указывается на недопустимость давления на корпус при осуществлении изгибов металлических выводов. Пайка разрешена на расстоянии не ближе 5 мм от пластиковой упаковки. Температура припоя должна быть ниже +250 °C, с интервалом теплового воздействия на каждый контакт не превышающем 2 секунд.
Не стоит превышать предельно допустимые эксплуатационные параметры, указанные в техописании, при работе устройства. При длительной эксплуатации на максимальных значениях оно может выйти из строя.
Производители
В настоящее время на российском рынке радиоэлектроники трудно найти КТ815 отечественного производства. Большинство образцов представлено, в основном, белорусскими предприятиями АО «ИНТЕГРАЛ» г. Минск (ссылка на даташит). Такое положение обусловлено не только сокращение его производства в России, но и техническим устареванием самого устройства. И это не удивительно, так как первый выпуск подобных изделий был осуществлен еще в 80-х годах прошлого столетия.
Транзистор типа: КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные низкочастотные мощные: КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г не более 1 гр.
Чертёж транзистора КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г
| Граничное напряжение при IЭ=50 мА, τи=300 мкс, Q≥100, не менее | |
| КТ815А | 25 В |
| КТ815Б | 40 В |
| КТ815В | 60 В |
| КТ815Г | 80 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=0,5 А, IБ=0,05 А, не более | 0,6 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=0,5 А, IБ=0,05 А, не более | 1,2 В |
| Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=2 В, IК=0,15 А, не менее | |
| при Т=24,85°С | |
| КТ815А, КТ815Б, КТ815В | 40 |
| КТ815Г | 30 |
| при Т=-40,15°С | |
| КТ815А, КТ815Б, КТ815В | 30 |
| КТ815Г | 20 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=5 В, IЭ=0,03 А, не менее | 3 МГц |
| Ёмкость коллекторного перехода при UКЭ=5 В, ƒ=465 кГц, не более | 60 пФ |
| Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=0,5 В, не более | 75 пФ |
| Входное сопротивление в режиме малого сигнала при UКЭ=5 В, IК=5 мА, ƒ=800 Гц, не менее | 800 Ом |
| Обратный ток коллектора при UКБ=40 В, не более | |
| при Тк=233÷298 К | 50 мкА |
| при Тк=99,85°С | 1000 мкА |
Предельные эксплуатационные данные.
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ≤100 Ом, Тк=233÷373 К | |
| КТ815А | 40 В |
| КТ815Б | 50 В |
| КТ815В | 70 В |
| КТ815Г | 100 В |
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер | |
| КТ815А | 25 В |
| КТ815Б | 40 В |
| КТ815В | 60 В |
| КТ815Г | 80 В |
| Постоянное напряжение база-эмиттер при Тк=213÷373 К | 5 В |
| Постоянный ток коллектора при Тк=233÷373 К | 1,5 А |
| Импульсный ток коллектора при τи≤10 мс, Q≥100, Тк=233÷373 К | 3 А |
| Постоянный ток базы при Тк=233÷373 К | 0,5 А |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | |
| с теплоотводом при Тк=233÷298 К | 10 Вт |
| без теплоотвода при Тк=233÷298 К | 1 Вт |
| Температура перехода КТ815Г, КТ815А, КТ815Б, КТ815В | 124,85°С |
| Температура окружающей среды | От -40,15 до Тк=99,85°С |
Примечания. 1. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода при Тк=298÷373 К снижается линейно на 0,01 Вт через 1 К.
2. Пайку выводов транзисторов КТ815Г, КТ815А, КТ815Б, КТ815В разрешается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. Разрешается производить пайку путём погружения выводов не более чем на 2 с в расплавленный припой с температурой не выше 249,85°С.
Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм, при этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.
Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.
Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.
1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса.
1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 2. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса.
