Биполярный транзистор основныС характСристики

Биполярный транзистор основныС характСристики

Биполярный транзистор основныС характСристики

Биполярный транзистор – ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ элСмСнт с двумя pn ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ΠΈ трСмя Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ слуТит для усилСния ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ сигналов. Они Π±Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ pnp ΠΈ npn Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. На рис. 1, Π° ΠΈ Π± ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ ΠΈΡ… условныС обозначСния.

Рис. 1. БиполярныС транзисторы ΠΈ ΠΈΡ… Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ эквивалСнтныС схСмы:

Вранзистор состоит ΠΈΠ· Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ², ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ p— ΠΈΠ»ΠΈ n— слоСм. Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄, связанный с Π½ΠΈΠΌ, называСтся Π±Π°Π·ΠΎΠΉ Π‘. Π”Π²Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… элСктрода Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ эмиттСром Π­ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ К. Диодная эквивалСнтная схСма, привСдСнная рядом с условным ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, поясняСт структуру Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² транзистора. Π₯отя эта схСма Π½Π΅ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ транзистора, ΠΎΠ½Π° Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π² Π½Π΅ΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ прямыС напряТСния. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ эмиттСр – Π±Π°Π·Π° смСщСн Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ (ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚), Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π° – ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ – Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ (Π·Π°ΠΏΠ΅Ρ€Ρ‚). ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ источники напряТСния Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. 2.

Вранзисторы npn Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΏΠΎΠ΄Ρ‡ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»Π°ΠΌ (для транзисторов pnp Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»Π° ΡΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ, Π½ΠΎ слСдуСт ΡƒΡ‡Π΅ΡΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ полярности напряТСний Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½Ρ‹ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹Π΅):

  1. ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π», Ρ‡Π΅ΠΌ эмиттСр.
  2. Π¦Π΅ΠΏΠΈ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр ΠΈ Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ ΠΊΠ°ΠΊ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ (рис. 1). ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ смСщСн Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ, Ρ‚.Π΅. ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС прСпятствуСт ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π΅Π³ΠΎ. Из этого ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»Π° слСдуСт, Ρ‡Ρ‚ΠΎ напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром нСльзя ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» Π±Π°Π·Ρ‹ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» эмиттСра Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π° 0,6 – 0,8Π’ (прямоС напряТСниС Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°), ΠΏΡ€ΠΈ этом Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ большой Ρ‚ΠΎΠΊ. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ транзисторС напряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ ΠΈ эмиттСрС связаны ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ:
  1. ΠšΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ транзистор характСризуСтся ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ значСниями IК,IΠ‘,UКЭ. Π’ случаС ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ этих ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ транзистор. Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈ ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… значСниях Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ², Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ рассСиваСмой мощности РК, Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅, UΠ‘Π­ ΠΈ Π΄Ρ€.
  2. Если ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»Π° 1-3 ΡΠΎΠ±Π»ΡŽΠ΄Π΅Π½Ρ‹, Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° прямо ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»Π΅Π½ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹.

Π‘ΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ эмиттСра ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ

Π³Π΄Π΅ Ξ± = 0,95…0,99 – коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° эмиттСра.

Π Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСрным ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ Π² соотвСтствии с ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΌ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½ΠΎΠΌ ΠšΠΈΡ€Ρ…Π³ΠΎΡ„Π° (ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· рис. 2, Π°) прСдставляСт собой Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ

Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ Π² соотвСтствии с Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ:

ΠŸΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ 4 опрСдСляСт основноС свойство транзистора: нСбольшой Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ управляСт большим Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора

ΠšΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ биполярного транзистора ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π² прямом, Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ. Π’ зависимости ΠΎΡ‚ этого Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора.

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ – Π½Π° эмиттСрный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π½ΠΎ прямоС напряТСниС, Π° Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ – ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅. ИмСнно этот Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора соотвСтствуСт ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° эмиттСра. Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»Π΅Π½ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ искаТСния усиливаСмого сигнала.

Π˜Π½Π²Π΅Ρ€ΡΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ – ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΏΠΎΠ΄Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ прямоС напряТСниС, Π° ΠΊ эмиттСрному – ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅. Π˜Π½Π²Π΅Ρ€ΡΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ транзистора Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΈ поэтому Π½Π° ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… схСмах.

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния – ΠΎΠ±Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (эмиттСрный ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ) находятся ΠΏΠΎΠ΄ прямым напряТСниСм. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² этом случаС Π½Π΅ зависит ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ опрСдСляСтся Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. Из-Π·Π° ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ эмиттСра Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для замыкания Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ сигнала.

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ отсСчки – ΠΊ ΠΎΠ±ΠΎΠΈΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌ ΠΏΠΎΠ΄Π²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ напряТСния. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ транзистора Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ отсСчки практичСски Ρ€Π°Π²Π΅Π½ Π½ΡƒΠ»ΡŽ, этот Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для размыкания Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ сигналов.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ биполярных транзисторов Π² Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… устройствах являСтся Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ. Π’ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… схСмах транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅, Ρ‚.Π΅. ΠΎΠ½ находится Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ отсСчки ΠΈΠ»ΠΈ насыщСния, минуя Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора

Π’ зависимости ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ ΠΈΠ· Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² транзистора являСтся ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ для Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°, Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ схСму Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром (ОЭ), рис. 2, ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ (ΠžΠ‘) рис. 3, Π°, ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (ОК) рис. 3, Π±.

Π’ случаС Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора Π² схСму с ОЭ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ являСтся Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ – Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ОЭ являСтся самой распространСнной, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½Π° Π΄Π°Π΅Ρ‚ наибольшСС усилСниС ΠΏΠΎ мощности. Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свойства транзистора ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠΎ схСмС с ОЭ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· Π³Π»Π°Π²Π½Ρ‹Ρ… Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² – коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ – Ξ². ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ Ξ² для Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… транзисторов Π»Π΅ΠΆΠΈΡ‚ Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΎΡ‚ дСсятков Π΄ΠΎ тысяч, Π° Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ каскада всСгда мСньшС, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° транзистора ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ.

ВаТная Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°, Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ транзистор – Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС. Для схСмы с ОЭ ΠΎΠ½ΠΎ составляСт ΠΎΡ‚ сотСн Π΄ΠΎ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ† кОм, Ρ‡Ρ‚ΠΎ являСтся ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ. Π­Ρ‚ΠΎ сущСствСнный нСдостаток биполярных транзисторов. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС схСмы составляСт ΠΎΡ‚ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ† Π΄ΠΎ дСсятков кОм.

К нСдостаткам схСмы с ОЭ относятся Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ мСньший ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ со схСмой ΠžΠ‘ частотный Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ ΠΈ мСньшая тСмпСратурная ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ.

Π’ схСмС с ΠžΠ‘ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ являСтся Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ – Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра. Π₯отя эта схСма Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ мСньшСС усилСниС ΠΏΠΎ мощности ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π΅Ρ‰Π΅ мСньшСС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС, Ρ‡Π΅ΠΌ схСма с ОЭ, всС ΠΆΠ΅ Π΅Π΅ ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎ своим частотным ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΌ свойствам ΠΎΠ½Π° Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ схСмы с ОЭ. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ каскада нСсколько мСньшС Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹, ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ – Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π² схСмС с ОЭ. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС для схСмы с ΠžΠ‘ получаСтся Π² дСсятки Ρ€Π°Π· мСньшС, Ρ‡Π΅ΠΌ Π² схСмС с ОЭ, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π² этой схСмС получаСтся Π΄ΠΎ 100 кОм. Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ каскад с ΠžΠ‘ вносит ΠΏΡ€ΠΈ усилСнии мСньшиС искаТСния, Ρ‡Π΅ΠΌ каскад ΠΏΠΎ схСмС с ОЭ.

Π’ схСмС с ОК (рис. 3, Π±) ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ являСтся ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΎΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ источники питания Π•1 ΠΈ Π•2 всСгда ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ кондСнсаторами большой Смкости ΠΈ для ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹ΠΌΠΈ. ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ этой схСмы Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ пСрСдаСтся ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄, Ρ‚.Π΅. сильна ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ обратная связь. ИмСнно поэтому Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ каскад Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ эмиттСрным ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ.

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ схСмы с ОК Π±Π»ΠΈΠ·ΠΎΠΊ ΠΊ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π΅, ΠΏΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ всСгда мСньшС Π΅Π΅, коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ Π² схСмС с ОЭ, коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ мощности Ρ€Π°Π²Π΅Π½ нСскольким дСсяткам. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС каскада Π² схСмС с ОК составляСт дСсятки ΠΊΠΈΠ»ΠΎΠΌ, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ – Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹ ΠΊΠΈΠ»ΠΎΠΌ ΠΈ сотни Ом, Ρ‡Ρ‚ΠΎ являСтся Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ достоинством схСмы.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ОК называСтся эмиттСрным ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для согласования источников сигналов ΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΠΊ.

Вранзистор ΠΊΠ°ΠΊ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅Ρ…ΠΏΠΎΠ»ΡŽΡΠ½ΠΈΠΊ

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ, Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ транзистор ΠΊΠ°ΠΊ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅Ρ…ΠΏΠΎΠ»ΡŽΡΠ½ΠΈΠΊ (ΠΏΡ€ΠΈ любой схСмС Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ), ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ коэффициСнты усилСния:

  • ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΊI= Ξ”IΠ’Π«Π₯/IΠ’Π₯;
  • ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊU= Ξ”UΠ’Π«Π₯/Ξ”UΠ’Π₯;
  • ΠΏΠΎ мощности ΠΊΠ  = ΠΊIΒ·ΠΊU= Ξ”Π Π’Π«Π₯/Ξ”Π Π’Π₯;
  • Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС RΠ’Π₯=UΠ’Π₯/IΠ’Π₯;
  • Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС RΠ’Π«Π₯=UΠ’Π«Π₯/IΠ’Π«Π₯.

Для удобства сравнСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… схСм Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзисторов свСдСны Π² Ρ‚Π°Π±Π». 1.

Π₯арактСристики биполярного транзистора

Π₯арактСристики биполярного транзистора Π² основном Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ слоТными Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π°ΠΌΠΈ, Π½Π΅ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π½Π° ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅ ΠΈ нагляднСС ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠΈ зависимости ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзистора ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ собой . Π’Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ показания ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора графичСским способом.

БтатичСскиС характСристики биполярного транзистора c ОЭ

БтатичСскиС характСристики биполярного транзистора ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ°ΡŽΡ‚ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ напряТСниями ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ Π½Π° Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΡ€ΠΈ отсутствии Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ.
Π­Ρ‚ΠΈ характСристики Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Π΅ Π² зависимости ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ способа Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора. Π’ основном ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ характСристики со схСмами Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ (ΠžΠ‘) ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром (ОЭ).

Для снятия Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… характСристик биполярного транзистора с ОЭ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ схСму ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π° рис.1 . Π’ Π½Π΅ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² R1 ΠΈ R2 ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½ΡƒΠΆΠ½Ρ‹Π΅ напряТСния Π² Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ с ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ.

Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики биполярного транзистора

На рис.2 , для сравнСния, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики биполярного транзистора с ОЭ Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзисторов. Они Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ°ΡŽΡ‚ (ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ напряТСнии ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром Uкэ ) Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° IΠ± ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром напряТСниСм Uбэ . По Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ΅ ΠΎΠ½ΠΈ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ ΠΈ ΠΏΠΎΡ…ΠΎΠΆΠΈ Π½Π° характСристики Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ², Ρ‚.ΠΊ. эмиттСрный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ транзистора ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ.
Для ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° транзисторов ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния характСристики Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΡΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² сторону увСличСния Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, Π½ΠΎ Π½Π° ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ это ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π΅ учитываСтся.
Из Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠΎΠ² Π΅Ρ‰Π΅ Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ , Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² схСмС с ОЭ Π±Π°Π·ΠΎ-эмиттСрноС напряТСниС Π² Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторах Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 0,4Π’, Π° Π² ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… — 0,8Π’. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ этих Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… напряТСний Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ, проходящиС Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· транзистор, ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ нСдопустимо большими, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄ΡƒΡ‚ ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΡŽ транзистора.

Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ входная характСристика биполярного транзистора Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Π°, Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚ ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС, зависящСС ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎ.
Для ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π° ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΠΌ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ транзистора МП42Π‘ с коэффициСнтом усилСния Ξ²=50 ( рис.3 ) Π² Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°Ρ… характСристики.
Π’ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ А Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ IΠ±=0,02mA ΠΈ Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ€Π°Π²Π΅Π½
IΠΊ=Ξ²β€’IΠ±=50β€’0.02=1mA.
МоТно Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ΅ ΠΏΠΎ извСстному ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ IΠΊ=13mA Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС Uэб . Π‘Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ IΠΊ Ρ€Π°Π²Π΅Π½:
IΠ±=IΠΊ/Ξ²=13/50=0,26mA.
Π—Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚ Uэб=0,25Π’ ( Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° Π’ ).
На этой ΠΆΠ΅ характСристикС Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС транзистора для постоянного ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ (Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ динамичСского) Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ².
Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ относится ΠΊ постоянной ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉ сигнала, Π° ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ — ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉ сигнала. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ сущСствСнноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ для согласования ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ собой транзисторных каскадов.
Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ опрСдСляСтся ΠΏΠΎ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρƒ Ома:
R_=U/I .
Π’ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ А Π½Π° Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ΅ ΠΎΠ½ΠΎ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ:
RΠ²Ρ…_= Uбэ/IΠ± = 0,1/ 0,02β€’10Λ‰Β³ = 5 кОм.
Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΆΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ сопротивлСниС Π² Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ Π‘ — RΠ²Ρ…_= 1,6 кОм, ΠΈ Π² Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ Π’ — RΠ²Ρ…_= 1 кОм.
Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ ΠΏΠΎ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρƒ Ома, Π½ΠΎ Π² Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ΅:
RΠ²Ρ…

= βˆ†U/βˆ†I ,
Π³Π΄Π΅ βˆ†U ) ΠΈ βˆ†I ) — приращСния напряТСния ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π²ΠΎΠ·Π»Π΅ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ.
Для ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π° ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΠΌ сопротивлСниС ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π² Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ Π‘ ) ( рис.4 ). Π—Π°Π΄Π°Π΅ΠΌ приращСния (ΠΆΠ΅Π»Ρ‚Ρ‹ΠΉ Ρ‚Ρ€Π΅ΡƒΠ³ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΈΠΊ Π½Π° рисункС):
βˆ†Uбэ = 0,225-0,175 = 0,05 Π’,
βˆ†Iэ = 0,16-0,06 = 0,1 mA.
Π’ΠΎΠ³Π΄Π° сопротивлСниС ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ:
RΠ²Ρ…

=0,05/0,1β€’10Λ‰Β³ = 500 Ом
Аналогично вычислим сопротивлСниС ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π² Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ А — RΠ²Ρ…

= 4кОм, Π° Π² Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ Π’ — 400 Ом. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π² схСмС с ОЭ это сопротивлСниС Π±Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… ΠΎΡ‚ 500 Ом Π΄ΠΎ 5 кОм.

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики биполярного транзистора

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики биполярного транзистора ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° IΠΊ ) ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Uэк ) ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ IΠ± .

На рис.5 ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ сСмСйство Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… характСристик транзистора.
На Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ΅ Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹, ΠΈ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния Uэк ΠΎΡ‚ нуля Π΄ΠΎ 0,4Γ·0,8 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ увСличиваСтся быстро, Π° Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΡ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΡƒΠΆΠ΅ ΠΌΠ°Π»ΠΎ ΠΈ ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ Π½Π΅ зависит ΠΎΡ‚ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ Uэк , Π° зависит ΠΎΡ‚ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. ΠžΡ‚ΡΡŽΠ΄Π° ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄: Π² основном Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ управляСт ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ.

По Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ характСристикС транзистора МП42Π‘ ( рис.6 ) ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΠΌ Π² Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ Π‘ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ Uкэ = 5,7 Π’ ΠΈ IΠ± = 40 ΞΌA. Он Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ IΠΊ = 4,5 mA.
А для Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ А Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ напряТСнии Uкэ = 5,7 Π’ ΠΈ IΠΊ = 8 mA Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ IΠ± = 80 ΞΌA.

Π’Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ ΠΏΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ характСристикС этого транзистора ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ сопротивлСния для постоянного ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ².
Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π² Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ Π‘ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ:
RΠ²Ρ‹Ρ…_= Uкэ/IΠΊ = 5,7/4,5β€’10Λ‰Β³ = 1,3 кОм.
Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΡ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠΈ:
βˆ†U = 8-3 = 5 Π’; βˆ†I = 4,5-4 = 0,5 mA
Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ:
RΠ²Ρ‹Ρ…

= βˆ†U/βˆ†I = 5/0,5β€’10Λ‰Β³ = 10 кОм.
Π­Ρ‚ΠΎ cΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ 50 кОм.

БтатичСскиС характСристики биполярного транзистора с ΠžΠ‘.

Для снятия Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… характСристик биполярного транзистора с ΠžΠ‘ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ схСму ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π° рис7 . Π’ Π½Π΅ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² R1 ΠΈ R2 ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½ΡƒΠΆΠ½Ρ‹Π΅ напряТСния Π² Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ с ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ.

Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики биполярного транзистора

Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики биполярного транзисторат с ΠžΠ‘ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚, ΠΊΠ°ΠΊ зависит эмиттСрный Ρ‚ΠΎΠΊ Iэ ΠΎΡ‚ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ Uэб ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Π½ΠΎΠΌ напряТСнии UΠΊΠ± ( рис.8 ) для транзисторов Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ проводимости.
Π‘Ρ€Π°Π²Π½ΠΈΠ² с Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ характСристикой биполярного транзистора с ОЭ Π²ΠΈΠ΄ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΏΠΎΡ…ΠΎΠΆΠΈ, Π½ΠΎ ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ различия.
Π­Ρ‚ΠΎ, Π²ΠΎ-ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ…, ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π²Π΅Ρ‚Π²ΠΈ характСристик Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… ΠΈ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов ΡΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π²Π»Π΅Π²ΠΎ, Π’ΠΎ-Π²Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ…, Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра Π² этом случаС Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ большС Ρ‡Π΅ΠΌ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ с ОЭ ΠΈ ΠΌΠ°ΡΡˆΡ‚Π°Π± измСрСния ΠΏΠΎ оси ΠΎΡ€Π΄ΠΈΠ½Π°Ρ‚ ΡƒΠΆΠ΅ Π½Π΅ Π² ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ…, Π° Π² ΠΌΠΈΠ»ΠΈΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ….
По Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ характСристикам биполярного транзистора с ΠžΠ‘ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΆΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ с ОЭ: Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Iэ ΠΎΡ‚ Uэб , Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ сопротивлСния RΠ²Ρ…_ ΠΈ RΠ²Ρ…

.
По ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ характСристики ( рис.9 ) Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅ΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ сопротивлСния Π² Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ А :
βˆ†Uэб= 0,225-0,175 = 0,05 Π’,
βˆ†Iэ = 16- 6 = 10 mA.
RΠ²Ρ…_= Uбэ/Iэ = 0,2/10β€’10Λ‰Β³ =20 Ом,
RΠ²Ρ…

= βˆ†Uэб/βˆ†Iэ =0,05/10β€’10Λ‰Β³ = 5 Ом.
Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄: Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ сопротивлСния Π² схСмС с ΠžΠ‘ Π½Π° ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ мСньшС Ρ‡Π΅ΠΌ с ОЭ ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‚ 100 Ом.

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики биполярного транзистора

На рис.10 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ сСмСйство Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… характСристик биполярного транзистора МП42Π‘ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ°ΡŽΡ‚ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° IΠΊ ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния UΠ±ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ эмиттСрном Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ Iэ . Они Ρ‡Π΅ΠΌ Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΡ…ΠΎΠΆΠΈ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики с ОЭ, Π½ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΈ большиС различия.
Одним ΠΈΠ· ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΉ являСтся Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Π΄Π°ΠΆΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π°, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ Π½ΡƒΠ»ΡŽ. ΠŸΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° Π² Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ источника Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ эмиттСра.
Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ — Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики Π² схСмС с ΠžΠ‘ ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ Π³ΠΎΡ€ΠΈΠ·ΠΎΠ½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹, Π° это Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС большС Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ ОЭ ΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π΄ΠΎ 2 МОм.

БтатичСскиС характСристики прямой ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ биполярного транзистора

По характСристикС прямой ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ транзистора ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, которая прСдставляСт собой связь ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ коэффициСнты усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π² схСмС с ОЭ ΠΈ ΠžΠ‘ ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π° рис.11
.ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ с ОЭ Ρ€Π°Π²Π΅Π½:
Ξ²=βˆ†IΠΊ/βˆ†IΠ±
Π³Π΄Π΅ βˆ†IΠΊ=2,8-2=0,8 mA;
βˆ†IΠ±=30-20=10 μА.
Ξ²=0,8/10β€’10Λ‰Β³= 80.
ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ с ΠžΠ‘ Ρ€Π°Π²Π΅Π½:
Ξ±=βˆ†IΠΊ/βˆ†Iэ
Π³Π΄Π΅ βˆ†IΠΊ=2,8-2=0,8 mA;
βˆ†Iэ=3-2=1 mA;
Ξ±=0,8/1=0,8.
МоТно ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ транзистора с ΠžΠ‘ усилСниС ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ Π½Π΅ происходит.

БиполярныС транзисторы. Π’ΠΈΠ΄Ρ‹ ΠΈ характСристики. Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π° ΠΈ устройство

БиполярныС транзисторы это ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹ с трСмя элСктродами, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΊ Ρ‚Ρ€Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ находящимся слоям, с Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ проводимости. Π’ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… транзисторов, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ пСрСносят ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Ρ‚ΠΈΠΏ заряда, ΠΎΠ½ способСн ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΎΡΠΈΡ‚ΡŒ сразу Π΄Π²Π° Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ биполярныС транзисторы, зависят ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° проводимости. ΠŸΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ элСктронной, Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ.

Разновидности биполярных транзисторов

БиполярныС транзисторы Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ ΠΏΠΎ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π½Π°ΠΊΠ°ΠΌ Π½Π° Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ ΠΏΠΎ:

  • ΠœΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρƒ изготовлСния: ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ арсСнид галлия.
  • Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π΅ частоты: Π΄ΠΎ 3 ΠœΠ“Ρ† – низкая, Π΄ΠΎ 30 ΠœΠ“Ρ† – срСдняя, Π΄ΠΎ 300 ΠœΠ“Ρ† – высокая, Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 300 ΠœΠ“Ρ† – свСрхвысокая.
  • НаибольшСй рассСиваСмой мощности: 0-0,3 Π’Ρ‚, 0,3-3 Π’Ρ‚, ΡΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅ 3 Π’Ρ‚.
  • Π’ΠΈΠΏΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°: 3 слоя ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° с ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° проводимости.
Устройство ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°

Π‘Π»ΠΎΠΈ транзистора, ΠΊΠ°ΠΊ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΉ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ, ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½Ρ‹ с встроСнными элСктродами, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ свои названия Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ Π±Π°Π·Ρ‹, эмиттСра ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

Bipoliarnye tranzistory struktura

ΠžΡΠΎΠ±Ρ‹Ρ… ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΉ ΠΏΠΎ Π²ΠΈΠ΄Π°ΠΌ проводимости Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ эмиттСра Π½Π΅ Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅Π½Ρ‚ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ примСсСй Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ мСньшС, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ допустимоС напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅.

Π‘Ρ€Π΅Π΄Π½ΠΈΠΉ слой ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° (Π±Π°Π·Π°) ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ сопротивлСния, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π° ΠΈΠ· слаболСгированного ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°. Она ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π½Π° Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ. Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ вслСдствиС выдСлСния Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π° ΠΎΡ‚ смСщСния ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π² Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΡƒΡŽ сторону. Π₯ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ Π±Π°Π·Ρ‹ с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ элСктронам, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ нСосновными носитСлями.

Π‘Π»ΠΎΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΠΎ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡƒ. Однако биполярныС транзисторы ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‚ΡΡ нСсиммСтричными ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½ΠΈΡ… слоСв мСстами с ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ нСльзя ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзисторов Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π΅ΠΌΡƒ ΠΊΠ°ΠΊ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ΅, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ΅ состояниС. ΠŸΡ€ΠΈ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, смСщСниС эмиттСра Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΎ Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ. Для ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ³ΠΎ понимания этой конструкции, Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ напряТСниС питания ΠΏΠΎ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ схСмС.

Bipoliarnye tranzistory ustroistvo

ΠŸΡ€ΠΈ этом Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° Π½Π° 2-ΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Π°, Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π΅Π΅ Π½Π΅ ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚. ΠŸΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ явлСниС Π²Π²ΠΈΠ΄Ρƒ рядом располоТСнных ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ², ΠΈΡ… влияния Π΄Ρ€ΡƒΠ³ Π½Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³Π°. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊ эмиттСру подсоСдинСн минусовой полюс Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ, Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Π²ΠΈΠ΄Π° Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ элСктронам ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ осущСствляСтся ΠΈΡ… рСкомбинация с Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠ°ΠΌΠΈ, ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈΡΡ Π³Π»Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌΠΈ носитСлями. ΠŸΠΎΡΠ²Π»ΡΠ΅Ρ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ IΠ±. Π§Π΅ΠΌ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, Ρ‚Π΅ΠΌ большС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ. Π’ этом Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия усилитСлСй.

По Π±Π°Π·Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ΅ Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ элСктронов, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ элСктричСского поля. Из-Π·Π° ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹ этого слоя ΠΈ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π³Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ΅Π½Ρ‚Π΅ частиц, практичСски всС ΠΎΠ½ΠΈ ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‚ Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, хотя Π±Π°Π·Π° ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ большоС сопротивлСниС. На ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ имССтся элСктричСскоС ΠΏΠΎΠ»Π΅, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ способствуСт пСрСносу ΠΈ втягиваСт ΠΈΡ…. Π’ΠΎΠΊΠΈ эмиттСра ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅, Ссли Π½Π΅ ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ заряда ΠΎΡ‚ пСрСраспрСдСлСния Π½Π° Π±Π°Π·Π΅: I э = I Π± + I ΠΊ.

Π₯арактСристики
  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ξ² = IΠΊ / IΠ±.
  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния напряТСния Uэк / Uбэ.
  • Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅.
  • Π₯арактСристика частоты – Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора Π΄ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ частоты, ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π·Π° Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Ρ‹ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ процСссы ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΎΠΏΠ°Π·Π΄Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π·Π° ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ сигнала.
Π Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ ΠΈ схСмы

Π’ΠΈΠ΄ схСмы влияСт Π½Π° Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ дСйствия биполярного транзистора. Π‘ΠΈΠ³Π½Π°Π» ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΈ ΠΎΡ‚Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² Π΄Π²ΡƒΡ… мСстах для Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… случаСв, Π° элСктродов имССтся Ρ‚Ρ€ΠΈ ΡˆΡ‚ΡƒΠΊΠΈ. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ элСктрод Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ сразу Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ. По Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡƒ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ всС биполярныС транзисторы, ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ‚Ρ€ΠΈ Π²ΠΈΠ΄Π° схСм, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΡ‹ рассмотрим Π½ΠΈΠΆΠ΅.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ

Π‘ΠΈΠ³Π½Π°Π» ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π½Π° сопротивлСниС RL, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΎ Π² Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

Skhema s obshchim kollektorom

Вакая схСма ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Ρ‚ΡŒ всСго лишь ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ. Достоинством Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ эмиттСрного повторитСля ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°Π·Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅. Π­Ρ‚ΠΎ Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ для согласования каскадов усилСния.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ

Π‘ΠΈΠ³Π½Π°Π» Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π‘1, Π΄Π°Π»Π΅Π΅ снимаСтся Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Π³Π΄Π΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ элСктрод ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ. Π’ ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Π΅ образуСтся усилСниС напряТСния ΠΏΠΎ подобию с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром.

Skhema s obshchei bazoi

Π’ схСмС ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ нСдостаток Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ всСго Π² качСствС Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром

Π§Π°Ρ‰Π΅ всСго ΠΏΡ€ΠΈ использовании биполярных транзисторов Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ схСму с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром. НапряТСниС ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΏΠΎ ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ RL, ΠΊ эмиттСру ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ полюсом.

Skhema s obshchim emitterom

Π‘ΠΈΠ³Π½Π°Π» ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ значСния ΠΏΡ€ΠΈΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ ΠΈ эмиттСр. Π’ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΎΠ½ становится ΠΏΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ большС. Π“Π»Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌΠΈ элСмСнтами схСмы ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ рСзистор, транзистор ΠΈ выходная Ρ†Π΅ΠΏΡŒ усилитСля с источником питания. Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ элСмСнтами стали: Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Π‘1, которая Π½Π΅ Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΉΡ‚ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄, сопротивлСниС R1, благодаря ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌΡƒ открываСтся транзистор.

Π’ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° напряТСниС транзистора ΠΈ сопротивлСния Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Π­Π”Π‘: E= Ik R k +Vk e .

ΠžΡ‚ΡΡŽΠ΄Π° слСдуСт, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ сигналом Ec опрСдСляСтся ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ измСнСния разности ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ транзисторного прСобразоватСля. Вакая схСма Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π°Π·, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΈ мощности.

Из нСдостатков Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ схСмы ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°Π·Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ (Π΄ΠΎ 1 кОм). Как слСдствиС, Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ каскадов. Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ ΠΎΡ‚ 2 Π΄ΠΎ 20 кОм.

РассмотрСнныС схСмы ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ дСйствиС биполярного транзистора. На Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ влияСт частота сигнала ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π². Для Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ этого вопроса ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ΅ Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΠ΅Ρ‚ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ искаТСния. Для создания надСТности схСмы, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ΠΎΠ², ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… связСй ΠΈ Ρ‚.Π΄. ПослС Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΌΠ΅Ρ€, схСма Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅, Π½ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ усилСниС.

БиполярныС транзисторы Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ…

Вранзистор взаимодСйствуСт с сигналами Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… Π²ΠΈΠ΄ΠΎΠ² Π²ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ. Π’ основном транзистор примСняСтся Π² усилитСлях. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ сигнал измСняСт Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅. Π’ этом случаС ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ схСмы с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. Π’ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° для сигнала Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠ° Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°.

Π§Π°Ρ‰Π΅ всСго для этого ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ сопротивлСниС, установлСнноС Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. ΠŸΡ€ΠΈ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅, Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ большС, Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅.

Π’ΠΎ врСмя прСобразования сигнала ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ сохраняСтся Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ для ΡΠΈΠ½ΡƒΡΠΎΠΈΠ΄Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… сигналов. ΠšΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎ измСнСния Π³Π°Ρ€ΠΌΠΎΠ½ΠΈΠΊ опрСдСляСтся характСристиками частоты ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ².

Π§ΠΈΡ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅  Π§Π΅ΠΌ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΡƒΡŽ сварку
ΠžΡ‚ΡΠ΅Ρ‡ΠΊΠ°

Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ образуСтся ΠΏΡ€ΠΈ сниТСнии напряТСния VΠ‘Π­ Π΄ΠΎ 0,7 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°. Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ случаС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ эмиттСра закрываСтся, ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ отсутствуСт, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π² Π±Π°Π·Π΅ ΠΎΡ‚ΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ элСктроны, ΠΈ транзистор остаСтся Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΌ.

Активный Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ напряТСния, достаточного для открытия транзистора, Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ, Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ большой Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ. Π­Ρ‚ΠΎ зависит ΠΎΡ‚ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π° коэффициСнта усилСния. Π’ этом случаС транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ усилитСлСм.

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния

Π­Ρ‚Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ свои отличия ΠΎΡ‚ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ открываСтся Π΄ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π°, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ достигаСт наибольшСго значСния. Π•Π³ΠΎ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π΄ΠΎΠ±ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ измСнСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π­Π”Π‘ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ схСмы. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π΅ измСняСтся. Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ особСнности Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ. Если ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ насыщСния ΠΈ отсСчки биполярных транзисторов, Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈ.

Бвойства характСристик Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π²Π»ΠΈΡΡŽΡ‚ Π½Π° Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΎ Π½Π° Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ΅.

Bipoliarnye tranzistory grafik

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΎΡ‚Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Π½Π° осях ΠΊΠΎΠΎΡ€Π΄ΠΈΠ½Π°Ρ‚ ΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎΠ², ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ΅ΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρƒ напряТСния, ΠΈ Π΄Π°Π»Π΅Π΅, объСдинСния ΠΊΠΎΠ½Ρ†ΠΎΠ² Π΄Ρ€ΡƒΠ³ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌ, образуСтся красная линия Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. По Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΡƒ Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ: Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ напряТСния смСстится ΠΏΠΎ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π²Π²Π΅Ρ€Ρ… ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Участок ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°ΡˆΡ‚Ρ€ΠΈΡ…ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ характСристикой Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ осью V ke являСтся Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° отсСчки. Π’ этом случаС транзистор Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, Π° обратная Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠ°Π»Π°. Π₯арактСристика Π² Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ А Π²Π²Π΅Ρ€Ρ…Ρƒ пСрСсСкаСтся с Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ, послС ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ IΠ’ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΡƒΠΆΠ΅ Π½Π΅ мСняСтся. На Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ΅ участком насыщСния являСтся Π·Π°ΠΊΡ€Π°ΡˆΠ΅Π½Π½Π°Ρ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ осью I k ΠΈ Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚Ρ‹ΠΌ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠΎΠΌ.

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ

ВранзисторныС ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈ слуТат для бСсконтактных ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ Π² элСктричСских цСпях. Π­Ρ‚Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² прСрывистой Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ΅ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ сопротивлСния ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°. БиполярныС транзисторы Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΠΌΡ‹ Π² устройствах ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ.

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π² схСмах измСнСния сигналов. Π˜Ρ… ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° ΠΈ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠ°Ρ классификация Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ транзисторы Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… цСпях, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ ΠΈΡ… возмоТности Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌΠΈ примСняСмыми схСмами ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ.

Π Π΅ΠΉΡ‚ΠΈΠ½Π³
( Пока ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΎΠΊ Π½Π΅Ρ‚ )
ΠŸΠΎΠ½Ρ€Π°Π²ΠΈΠ»Π°ΡΡŒ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ? ΠŸΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ с Π΄Ρ€ΡƒΠ·ΡŒΡΠΌΠΈ:
Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!:

Adblock
detector