Характеристики транзистора КТ815
В этой статье рассмотрим транзистор КТ815, его технические характеристики, цоколевку, узнаем какие существуют аналоги, а так же содержится ли в нем золото. Итак, КТ815 — довольно мощный биполярник, технология изготовления эпитаксиально-планарная, структура перехода n-p-n, базовый материал кремний . Устройство используется в разнообразных усилителях: НЧ, ДИФФ, операционных, или в другом оборудовании в качестве ключей.
Распиновка
Цоколевка КТ815 содержит информацию о том, на каком из трёх выводов находится эмиттер, коллектор и база. Наиболее распространён он в корпусе ТО-126 ( отечественное называние КТ-27). Если взять такой компонент контактами вниз и маркировкой к себе, то ножка слева – это Э, посредине – К, справа – Б. Кроме этого можно встретить данное устройство в корпусе КТ-89 (согласно международному стандарту DPAK). Расположение выводов показано на рисунке ниже.
На изображении также представлен вариант маркировки. Первая буква указывает на группу, например на КТ815А будет нанесено обозначение 5А. Последующие символы говорят о дате выпуска.
Технические характеристики
Производители, в своей документации, указывают максимально допустимые параметры своего изделия. Характеристики, при которых работает устройство, не должны их превышать, иначе КТ815 с большой вероятностью выйдет из строя. Также недопустима работа при режимах близких к максимальным.
Параметры, при которых производилось тестирование, указываются в технических характеристиках.
- максимально допустимое постоянно действующее напряжение при сопротивлении Б-Э меньше 100 Ом Uкэmax = 40 В;
- постоянное напряжение между Uэбmax (максимально выдерживаемое) = 5 В;
- наибольший возможный ток Iкmax = 1,5 А;
- предельно возможный импульсный ток, на протяжении промежутка времени меньше 10 мс Iкиmax = 3 А;
- наибольший возможный ток Iбmax = 0,5 А;
- максимальная мощность, которая может рассеиваться на коллекторе в течении длительного времени (при температуре корпуса от -40 О С до + 25 О С) с теплоотводом – 10 Вт, без теплоотвода – 1 Вт;
- максимальная температура перехода 150 О С.
Далее в технических характеристиках идут электрические параметры. Их измерение также производится при температуре + 25 О С, если другое не оговорено специально для конкретного значения. Остальные условия приведены в таблице.
Характеристики электрические транзистора КТ815:
Помимо этого в Datasheet также приводятся сведения о безопасности при монтаже. Не допускается пайка на расстоянии ближе 5 мм от корпуса. Температура припоя должна быть ниже +250 О С. Тепловое воздействие не должно длиться более 2 с.
Содержание драгметаллов
Извлечением драгоценных металлов из радиокомпонентов занимаются скупщики и специализированные компании. Для того чтобы это дело приносило прибыль необходимы огромные объёмы перерабатываемого материала, иначе затраты на переработку будут больше, чем стоимость металла на выходе. Что касается героя данной статьи, то в нем содержится некоторое количество золота (0,1819г. в 1000шт) и серебра (2,1877г. на 1000шт.). Ознакомиться с этой информацией можно из этикетки, которая представлена ниже.
Аналоги
Среди идентичных аналогов кт815 можно назвать следующие транзисторы: BD813, TIP29, TIP61, BD165.
Для КТ815 существует также комплиментарная пара. Это отечественный (назовём его триод) КТ814. Он имеет структуру обратную рассматриваемому, а именно p-n-p, ведь транзисторы в паре должны иметь взаимно обратную структуру.
Производители
Производством транзистора занимаются два российских предприятия. Это АО «НПП Завод Искра» г. Ульяновск (скачать Datasheet), которое входит в холдинг «Концерн ВКО Алмаз – Антей». А также АО «Кремний» г. Брянск. В Белоруссии это изделие выпускают на заводе АО «ИНТЕГРАЛ» г. Минск (Datasheet здесь).
Транзистор КТ815
КТ815 — биполярный транзистор на кремниевой основе, изготовлен по эпитаксиально-планарной технологии со структурой перехода NPN.
Корпус, цоколевка и размеры
Корпус компонента исполнен в стандарте КТ-27, который является аналогом ТО-126. Транзистор также встречается в корпусе КТ-89 для поверхностного монтажа.
Применение
КТ815 — низкочастотный и мощный транзистор, что позволяет его применять во многих линейных или ключевых схемам. Компонент может использоваться в операционных схемах, дифференциальных или низкочастотных усилителях, различных импульсных электрических устройствах и преобразователях.
Наличие у транзистора комплементарной пары обуславливает частое их применение в схемах предкаскадах усилителей мощности и стабилизаторов напряжения небольших нагрузок.
Особенности транзистора
- Низкая частота;
- Высокая мощность;
- Наличие комплементарной пары;
- Несколько модификаций.
Маркировка
Транзисторы серии КТ815 имеют два основных метода маркировки:
- Первый заключается в нанесении на корпус полного названия, например КТ815А;
- Второй заключается в нанесении четырехзначной маркировки, где первым символом будет 5, вторым модель, а последние два символа — дата выпуска. Например 5ВU2 это транзистор КТ815В.
Модификации
Транзистор имеет несколько модификаций, которые имеют небольшие, но важные различия:
- КТ815А — Uкбо(и) = 40 В, Uкэо(и) = 30 В;
- КТ815Б — Uкбо(и) = 50 В, Uкэо(и) = 45 В;
- КТ815В — Uкбо(и) = 70 В, Uкэо(и) = 65 В;
- КТ815Г — Uкбо(и) = 100 В, Uкэо(и) = 85 В.
Предельные эксплуатационные характеристики
| Характеристика | Обозначение | КТ815А | КТ815Б | КТ815В | КТ815Г |
|---|---|---|---|---|---|
| Значение напряжения коллектор-эмиттер | Uкэ макс, В | 40 | 50 | 70 | 100 |
| Значение напряжения эмиттер-база | Uэб макс, В | 5 | |||
| Значение постоянного тока на коллекторе | Iк макс, А | 1.5 | |||
| Значение импульсного тока на коллекторе | Iки макс, А | 3 | |||
| Максимальный рабочий ток на базе | Iб макс, А | 0.5 | |||
| Значение рассеиваемой мощности на коллекторе | Pк макс, Вт | 10 | |||
| Максимальная рабочая температура на переходе | Tмакс, °C | 150 | |||
| Диапазон температуры окружающей среды | Tокр, °C | ||||
Стоит отметить, что граничная частота для данных транзисторов находится в районе 3 МГц, и редко указывается в документации.
Электрические параметры
| Характеристика | Обозначение | КТ815А | КТ815Б | КТ815В | КТ815Г |
|---|---|---|---|---|---|
| Значение граничного напряжения на коллекторе-эмиттере | Uкэо гp. , В | 30 | 45 | 65 | 85 |
| Значение обратного тока на коллекторе | Iкбо, мкА | 50 | |||
| Значение обратного тока на коллекторе-эмиттере | Iкэr, мкА | 100 | |||
| Коэффициент усиления | h21э | ||||
| Значение напряжения насыщения коллектор-эмиттер | Uкэ нас, В | 0.6 | |||
| Емкость коллекторного перехода | Ск, пФ | 60 | |||
| Емкость эмиттерного перехода | Сэ, 75 пФ | 75 | |||
Условия монтажа
При применении транзисторов КТ815 и их монтаже, следует придерживаться следующих правил:
- Изгиб выводов транзистора должен находиться минимум в 5 мм от корпуса, при этом радиус закругления должен быть в районе от 1.5 до 2 мм;
- Не допускается установка, при которой на корпус будет передаваться усилие;
- При пайке транзистора необходимо держать жало паяльника на расстоянии не менее 5 мм от корпуса;
- Выводы должны подвергаться пайке при температуре не выше 250 °C не более 2 секунд.
Комплементарная пара
Для всех моделей транзистора КТ815 имеется своя комплементарная пара серии КТ814, с соответствующей буквой в маркировке. Например: для КТ815В комплементарной парой является КТ814В.
Аналоги
| Тип | Uкбо(и), В | Uкэо(и), В | Iкmax(и), А | Pкmax(т), Вт | h21э | fгр., МГц |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Оригинал | ||||||
| КТ815А | 40 | 25 | 1.5 (3) | 10 | 40 | 3 |
| КТ815Б | 50 | 40 | 1.5 (3) | 10 | 40 | 3 |
| КТ815В | 70 | 60 | 1.5 (3) | 10 | 40 | 3 |
| КТ815Г | 100 | 80 | 1.5 (3) | 10 | 30 | 3 |
| Зарубежное производство | ||||||
| BD135 | 45 | 45 | 1.5 (3) | 8 | 63 | — |
| BD137 | 60 | 60 | 1.5 (3) | 8 | 63 | — |
| BD139 | 80 | 80 | 1.5 (3) | 8 | 63 | — |
| Отечественное производствто | ||||||
| КТ817 | от 40 | от 40 | 3 (6) | 25 | 25 | 3 |
Стоит отметить, что транзистор КТ817 имеет широкий модельный ряд, позволяющий подобрать замену для каждой из модификации КТ815.
Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителей.
Графические зависимости
Основные зависимости на которые стоит обращать внимание при проектировании устройств с применением транзисторов КТ815
Рис 1. Зависимость коэффициента усиления от значения тока на эмиттере.
Рис 2. Зависимость значений напряжений насыщения КЭ и БЭ от тока на коллекторе.
Транзисторы П213 и КТ815.
Т ранзисторы П213 — германиевые, мощные, низкочастотные, структуры — p-n-p.
Корпус металло-стекляный.
Маркировка буквенно — цифровая, сверху корпуса. На рисунке ниже — цоколевка П213.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока.
У транзистора П213 без буквы — от 20 до 50
У транзистора П213А — 20
У транзистора П213Б — 40
Граничная частота передачи тока — от 100 до 150 КГц.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 30 в.
Максимальный ток коллектора(постоянный) — 5 А.
Обратный ток коллектора при напряжении эмиттер-коллектор 45в и температуре окружающей среды +25 по Цельсию: У транзисторов П213 0,15 мА.
У транзисторов П213А, П213Б — 1 мА.
Обратный ток коллектор-эмиттер при напряжении коллектор-эмиттер 30в и нулевом базовом токе у транзисторов П213 — 20 мА.
У транзисторов П213А, П213Б при напряжении коллектор-эмиттер 30в и сопротивлении база-эмитер 50 Ом- 10 мА.
Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 15в и температуре +25 по Цельсию, у транзисторов П213 — 0,3 мА.
У транзисторов П213А, П213Б при напряжении эмиттер-база 10в — 0,4 мА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 3А и базовом 0,37А
— не более 0,5 в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 3А и базовом 0,37А
— не более 0,75 в.
Рассеиваемая мощность коллектора — 11,5 Вт(на радиаторе).
Цветомузыкальная приставка на П213.
Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.
Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7.
Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.
Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.
Транзисторы КТ815
Транзисторы КТ815 — кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры — n-p-n.
Применяются в усилительных и генераторных схемах. Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса — около 1 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.
Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ815 цифра 5, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ815.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока
У транзисторов КТ815А, КТ815Б, КТ815В от 30.
У транзисторов КТ815Г — от 20.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ815А — 25 в.
У транзисторов КТ815Б — 45 в.
У транзисторов КТ815В — 60 в.
У транзисторов КТ815Г — 80 в.
Максимальный ток коллектора — 1,5 А постоянный, 3 А — импульсный.
Рассеиваемая мощность коллектора. — 10 Вт на радиаторе, 1 Вт — без.
Обратный ток колектора.
При напряжении коллектор-база 40 в — 50 мкА
Сопротивление базы. При напряжении эмиттер-база 5 в, токе коллектора 5 мА, на частоте 800 кГц — не более 800 Ом.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А
— не более 0,6 в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А
— не более 1,2 в.
Емкость коллекторного перехода при частоте 465 кГц и напряжении коллектор-база 5в — 60 пФ.
Граничная частота передачи тока — 3 МГц.
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
